MOSFET

MOSFET ve IGBT

Power mosfet yani güç mosfetleri, SMPS lerde en çok kullanılan anahtarlama elemanlarıdır. BJT transistörleri anlatmama sebebim az kullanılıyor olmalarıdır. Mosfetler BJT lerden yaklaşık 10 kat daha yüksek anahtarlama yapabilme kabiliyetleri vardır ve dizaynda kullanılmaları daha …

Devamı »

MOSFET ve IGBT Sürme

Mosfet ve igbt gibi anahtarlama elemanlarının yüksek frekansla çalıştırdığımız zaman, anahtarlama işlemlerini, açılıp kapanma işlemlerini olabildiğince hızlı yapabilmek zorundalardır. Kimi zaman bu hızı artırma amacı ile kimi zaman PWM sinyalinin gate ucuna daha temiz ve …

Devamı »

MOSFET Nedir ?

Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör Mosfetler analog ve digital devrelerde sık kullanılan bir alan etkili transistördür. MOSFET’in Su Modeli MOSFET’li devreleri optimum şekilde tasarlayabilmek için MOSFET’in …

Devamı »

Bootstrap Tekniği

Mosfet ve igbt leri sürmenin diğer bi yolu ise mosfet, igbt driver entegresi kullanmaktır. Bu entegreler bootstrap kapasitörünü şarj için kullanarak, gate voltajının source voltajından her zaman bootstrap kapasitöründeki voltaj kadar fazla olmasını sağlar. Bu …

Devamı »

MOSFET Body Diode

Mosfetlerin drain-source uçlarına paralel olacak şekilde, Drain kısmına ters polarlanmış yani reverse biased olmuş şekilde diyot bulunur. Bu diyot mosfetin uçlarında ters gerilimin oluşmasını önlemek içindir. Bu diyot normal rectifier doğrultucu diyotlardan daha hızlı olmasına …

Devamı »

Gate Akımı Hesaplanması

C1 = Ciss ve C2 = Crss olarak datasheetlerde geçebilmektedir. dV kısmı 10V olarak yani gate-source arasına verdiğimiz Vgs voltajıdır. tr = trise süresi diye geçer. Yani mosfetin on oluncaya kadar ki geçen zamandır. C1 …

Devamı »

MOSFET Giriş Empedansı ve Miller Efekti

Mosfetin giriş empedansı yani gate ucundaki empedans çok yüksek olmaktadır. Vgs 10V iken, gate akımı nanoamper civarında olabilir. Tüm mosfetlerin içinde gate-source ve gate-drain arasında belli değerlerde kapasitans vardır. Ayrıca drain-source arası bi kapasitans bulunur. …

Devamı »

Saturation Region – Doyum Alanı

1) Vgs voltajı Vth eşik voltajından daha büyüktür. 2) Mosfet tamamen on halinde yani Ids kısmı kısa devre halinde gibidir. 3) İdeal durumda Vds arasında mosfet doyum alanında iken voltaj kalmaz fakat Rdson direncinden dolayı …

Devamı »

Cutoff Region – Kesim Alanı

mosfet ve devremiz olduğunu varsayarsak cutoff alanında iken; 1) Vgs voltajı 0 olduğundan dolayı mosfetin Ids tarafı açık devre olarak davranmaktadır. Böylece drain den source kısmına akım geçmeyecektir. 2) Vgs voltajı belli bi eşik voltajı …

Devamı »

METAL OKSİT SİLİKON ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (MOSFET)

Metal Oksit Silikon FET, MOSFET olarak bilinir. MOSFET, pn eklemine sahip bir yapısı bulunmadığından JFET’ten farklıdır. Onun yerine, MOSFET kanaldan ince bir Silisyumdioksit (SiO2) tabakasıyla yalıtılır. Silisyumdioksit tabakası Alan Etkili Transistörün giriş direncini oldukça yüksek …

Devamı »