Bu devre adından da anlaşılacağı gibi her iki devrenin kararlılığa yaptığı etkilerin tümümü taşır.
Devre ile ilgili formüller;
IB=VCC-VBE / ((ß x RC) + RB + (1 + (ß x RE)))
IC=IB x ß
VC=VCC – (IC x RC)
VE= IE x RE = IC x RE
VCE=VC – VE
ICsat = VCC / (RC + RE)
Şimdi bir örnek yapalım
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
RE=1K
ß=50 olsun.
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.
ICsat = VCC / (RC + RE)
ICsat = 12 / (10 + 1)
ICsat = 1,1mA
IB=VCC-VBE / ((ß x RC) + RB + (1 + (ß x RE)))
IB=12 / ((50 x 10) + 1000 + (1 + (50 x 1)))
IB=12 / 500 + 1000 + 50
IB=0,0077mA
IC=IB x ß
IC=0,0077 x 50
IC= 0,385mA
VC=VCC – (IC x RC)
VC=12 – (0,385 x 10)
VC=8,15V
VE = IC x RE
VE = 0,0385 x 1
VE = 0,385V
VCE=VC – VE
VCE=8,15 – 0,385
VCE=7,765V
Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;
IB=VCC-VBE / ((ß x RC) + RB + (1 + (ß x RE)))
IB=12 / ((60 x 10) + 1000 + (1 + (60 x 1)))
IB=12 / 600 + 1000 + 60
IB=0,0072mA
IC=IB x ß
IC=0,0072 x 60
IC= 0,432mA
Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %12,2 değişmiştir. Yani Kollektör ve Emitör Geri Beslemeli Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansımamıştır. Bu devrenin kararlılığı yukarıdakinden daha iyidir.
