Sabit Bayaslama Devresi

Bu devrenin Beyz akımı IB=(VCC – VBE) / RB olduğunu kolayca olduğunu görebiliriz. Bu formüle baktığımızda ß değerinin IB akımı ile alakalı olamadığını, ß değeri ne olursa olsun IB akımını değiştiremeyeceğini görülebilir. Bu devrenin Kollektör akımı ise, IC=IB x ß dır. Şimdi bu formülde ß değerindeki değişiklik aynen IC akımına yansıyacaktır. Bu devre ile ilgili diğer formüller ise;

Maksimum IC akımı: ICsat = VCC / RC
Kollektör – Emitör arası voltaj: VCE = VCC – (IC x RC)

Şimdi bir örnek yapalım,
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
ß=50 olsun
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.

ICsat = VCC / RC;
ICsat = 12 / 10
ICsat = 1,2mA

IB=(VCC – VBE) / RB
IB=(12 – 0) / 1000
IB=0,012mA

IC=IB x ß
IC=0,012 x 50
IC=0,6mA

VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = 12 – (0,6 x 10)
VCE = 6V olur.

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. IB akımı aynı kalacak fakat IC;

IC=IB x ß
IC=0,012 x 60
IC=0,72mA olur.
Yani Sabit Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansıyacaktır.

Bu devrenin beyz akımını oluşturan gerilim doğrudan kollektör gerilimidir. Şimdi dikkat edelim. Kollektör gerimi kollekör akımına bağlıdır. Kollektör akımı da ß değerine bağlıdır. Örneğin ß değerinin arttığını düşünelim. Bunun sonucu olarak IC akımı artacak fakat VCE gerilimi azalacaktır. VCE gerilimi IB akımını sağladığı için, IB akımına azaltma etkisi gösterecektir. Bu da ß artmasından dolayı IC akımının artışını azaltacaktır. Bu devrenin Formülleri;

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IC=IB x ß
VCE = VCC – (IC + IB) x RC

IB, IC akımından çok küçük olursa IC akımının yaklaşık değeri;
VCE = VCC – (IC x RC) formülü de kullanılabilir.

ICsat = VCC / RC

Şimdi bir örnek yapalım,
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
ß=50 olsun.
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.

ICsat = VCC / RC
ICsat = 12 / 10
ICsat = 1,2mA

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IB=12 / (50 x 10 + 1000)
IB=12 / 1500
IB=0,008mA

IC=IB x ß
IC=0,008 x 50
IC=0,4mA

VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = 12 – (0,4 x 10)
VCE = 8V

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IB=12 / (60 x 10 + 1000)
IB=12 / 1600
IB=0,0075mA

IC=IB x ß
IC=0,0075 x 60
IC=0,45mA

Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %12,5 değişmiştir. Yani Kollektör Geri Besleme Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansımayacaktır. Transistörün çalışma noktasının kararlılığı bu devrede daha iyidir.

Benzer Yazılar

YAZAR : Admin

Elektronik Mühendisi / Biyomedikal Kalibrasyon Laboratuvarı Sorumlu Müdürü / X-Işınlı Görüntüleme Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı / Ultrason-Doppler Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı

BU YAZIYI DA İNCELEDİNİZ Mİ ?

Transistör Devreleri

Ayarlanabilir Yüksek Akım Gücü Arz Anten Yükseltici Alarm 4 düğme kullanarak İnanılmaz LED Flaşör – …

Bir cevap yazın

escort bayan escort beylikdüzü meyve siparişi escort istanbul escort istanbul kayseri escort samsun escort mersin escort bursa escort kocaeli escort atasehir escort istanbul escort bayan bursa escort bursa escort bursa escort bursa escort bursa escort