Sabit Bayaslama Devresi

Bu devrenin Beyz akımı IB=(VCC – VBE) / RB olduğunu kolayca olduğunu görebiliriz. Bu formüle baktığımızda ß değerinin IB akımı ile alakalı olamadığını, ß değeri ne olursa olsun IB akımını değiştiremeyeceğini görülebilir. Bu devrenin Kollektör akımı ise, IC=IB x ß dır. Şimdi bu formülde ß değerindeki değişiklik aynen IC akımına yansıyacaktır. Bu devre ile ilgili diğer formüller ise;

Maksimum IC akımı: ICsat = VCC / RC
Kollektör – Emitör arası voltaj: VCE = VCC – (IC x RC)

Şimdi bir örnek yapalım,
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
ß=50 olsun
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.

ICsat = VCC / RC;
ICsat = 12 / 10
ICsat = 1,2mA

IB=(VCC – VBE) / RB
IB=(12 – 0) / 1000
IB=0,012mA

IC=IB x ß
IC=0,012 x 50
IC=0,6mA

VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = 12 – (0,6 x 10)
VCE = 6V olur.

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. IB akımı aynı kalacak fakat IC;

IC=IB x ß
IC=0,012 x 60
IC=0,72mA olur.
Yani Sabit Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansıyacaktır.

Bu devrenin beyz akımını oluşturan gerilim doğrudan kollektör gerilimidir. Şimdi dikkat edelim. Kollektör gerimi kollekör akımına bağlıdır. Kollektör akımı da ß değerine bağlıdır. Örneğin ß değerinin arttığını düşünelim. Bunun sonucu olarak IC akımı artacak fakat VCE gerilimi azalacaktır. VCE gerilimi IB akımını sağladığı için, IB akımına azaltma etkisi gösterecektir. Bu da ß artmasından dolayı IC akımının artışını azaltacaktır. Bu devrenin Formülleri;

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IC=IB x ß
VCE = VCC – (IC + IB) x RC

IB, IC akımından çok küçük olursa IC akımının yaklaşık değeri;
VCE = VCC – (IC x RC) formülü de kullanılabilir.

ICsat = VCC / RC

Şimdi bir örnek yapalım,
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
ß=50 olsun.
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.

ICsat = VCC / RC
ICsat = 12 / 10
ICsat = 1,2mA

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IB=12 / (50 x 10 + 1000)
IB=12 / 1500
IB=0,008mA

IC=IB x ß
IC=0,008 x 50
IC=0,4mA

VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = VCC – (IC x RC)
VCE = 12 – (0,4 x 10)
VCE = 8V

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;

IB=(VCC – VBE) / (ß x RC + RB)
IB=12 / (60 x 10 + 1000)
IB=12 / 1600
IB=0,0075mA

IC=IB x ß
IC=0,0075 x 60
IC=0,45mA

Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %12,5 değişmiştir. Yani Kollektör Geri Besleme Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansımayacaktır. Transistörün çalışma noktasının kararlılığı bu devrede daha iyidir.

Benzer Yazılar

YAZAR : Admin

Elektronik Mühendisi / E.Üni. Kalibrasyon Lab. Sorumlusu / Biyomedikal Kalibrasyon Laboratuvarı Sorumlu Müdürü (Sağ.Bak.) / X-Işınlı Görüntüleme Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı (Sağ.Bak.) / Ultrason-Doppler Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı (Sağ.Bak.) - Hatalı veya kaldırılmasını istediğiniz sayfaları diyot.net@gmail.com bildirin

BU YAZIYI DA İNCELEDİNİZ Mİ ?

Transistör Devreleri

Ayarlanabilir Yüksek Akım Gücü Arz Anten Yükseltici Alarm 4 düğme kullanarak İnanılmaz LED Flaşör – …

Bir cevap yazın