Yalıtılmış Kapılı Transistör (IGBT)

Günümüzde en çok kullanılan elemanlardan birisi olan IGBT, BJT ve E- MOSFET karışımı özel bir elemandır.
BJT’nin iyi tarafı iletim iç direncinin dolayısıyla da iletim kayıplarının küçük olması, kötü tarafı da anahtarlama süresinin uzun olması dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının fazla olmasıdır.
E-MOSFET’lerde ise BJT’nin tam tersi durum söz konusudur. Yani MOSFET’in kötü tarafı, iletim iç direncinin yüksek dolayısıyla iletim kayıpları çok iken, iyi tarafı ise anahtarlama süresinin dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının BJT’ye  göre az olmasıdır.
BJT ve E-MOSFET’ in iyi özellikleri alınarak yapılan IGBT’nin girişi MOSFET gibi yapılandırılmış, çıkışı ise BJT gibi yapılandırılmıştır.
Bu sayede 400V ve üzeri gerilim değerlerinde çalışabilme imkanı sağlanmış olur.
Güç elektroniği uygulamalarında daha çok DC-DC dönüştürücü ve DC-AC dönüştürücü devrelerinde kullanılır.
Çok düşük frekans değerlerinden (1-2Hz) orta frekanslara (20kHz) kadar kontrollü anahtar olarak kullanılabilmektedir.
1200V-400A seviyelerine kadar olan versiyonları bulunmaktadır.

Benzer Yazılar

YAZAR : Admin

Elektronik Mühendisi / E.Üni. Kalibrasyon Lab. Sorumlusu / Biyomedikal Kalibrasyon Laboratuvarı Sorumlu Müdürü (Sağ.Bak.) / X-Işınlı Görüntüleme Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı (Sağ.Bak.) / Ultrason-Doppler Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı (Sağ.Bak.) - Hatalı veya kaldırılmasını istediğiniz sayfaları diyot.net@gmail.com bildirin

BU YAZIYI DA İNCELEDİNİZ Mİ ?

MOSFET ve IGBT

Power mosfet yani güç mosfetleri, SMPS lerde en çok kullanılan anahtarlama elemanlarıdır. BJT transistörleri anlatmama …

Bir cevap yazın