ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (FET)

Güncelleme 16/08/2024

FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955’li yıllara dayanmaktadır. Fakat o zamanki üretim teknolojileri bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı. FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise MOSFET (Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistör) ya da daha az bilinen adı ile IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistör).

Transistör ya da BJT transistör iki taşıyıcı grubu ile çalışmakta idi. Örneğin NPN bir transitörün emitöründen giren elektronlar emitör içinde çoğunluk taşıyıcısı olmaktadır. Sonra P tipi beyz içinden geçerken azınlık taşıyıcısı olmakta, en son N tipi kollektörden geçerken tekrar çoğunluk taşıyıcısı olmaktadır.

FET içinde ise elektronlar sadece N tipi ya da P tipi madde içinden geçmektedir. Sadece çoğunluk taşıyıcıları ile çalışmaktadır. Bu nedenle yapısal farklılığı vardır. Ayrıca en önemli kullanım özelliklerinden biri de giriş dirençleri çok yüksektir. Bu nedenle bağlandıkları devreleri yüklemezler. Az gürültü ürettikleri için giriş devreleri için tercih edilirler.