Çift Kaynaklı Bias

Çift kaynaklı devrelerde iki adet güç kaynağı kullanıldığı için bütün ölçmeler şaseye göre yapılmalıdır. Bu devrede dikkat edilmesi gereken nokta IB akımının VEE kaynağı tarafından sağlanmasıdır.
Çift Kaynaklı Bias
Devre ile ilgili formüller;
IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)

IC=IB x ß

VC=VCC – (IC x RC)

VE= -(VBE + IB x RB)

VCE=VC – VE

Şimdi örneğimizi bu devre için yapalım.
VCC=VEE=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
RE=1K
ß=50 olsun.
IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.

IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)
IB=12 / (1000 + (1+ 50) x 1)
IB=0,0114mA

IC=IB x ß
IC=0,0114 x 50
IC=0,57mA

VC=VCC – (IC x RC)
VC=12 – (0,57 x 10)
VC=6,3V

VE= -(VBE + IB x RB)
VE= -(0+ 0,0114 x 1000)
VE= -11,4V

VCE=VC – VE
VCE=6,3 – (-11,4)
VCE=17,7V

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;

IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)
IB=12 / (1000 + (1+ 60) x 1)
IB=0,0113mA

IC=IB x ß
IC=0,0113 x 60
IC=0,687mA

Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %18,9 değişmiştir. Yani Çift Kaynaklı Geri Beslemeli Bayaslama Devresinde kararlılık Emitör Geri Beslemeli devre ile aynıdır.

Benzer Yazılar

YAZAR : Admin

X-Işınlı Görüntüleme Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı

BU YAZIYI DA İNCELEDİNİZ Mİ ?

Transistörün Doyma Halinde Anahtarlama Elemanı Olarak Çalıştırılması

Transistörün Kapı Devresi Olarak Çalışması Şekil 1 ‘de, PNP tipi transistörlü bir kapı devresi verilmiştir. Transistör …

Bir cevap yazın