Çift kaynaklı devrelerde iki adet güç kaynağı kullanıldığı için bütün ölçmeler şaseye göre yapılmalıdır. Bu devrede dikkat edilmesi gereken nokta IB akımının VEE kaynağı tarafından sağlanmasıdır.
Devre ile ilgili formüller;
IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)
IC=IB x ß
VC=VCC – (IC x RC)
VE= -(VBE + IB x RB)
VCE=VC – VE
Şimdi örneğimizi bu devre için yapalım.
VCC=VEE=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
RE=1K
ß=50 olsun.
IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.
IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)
IB=12 / (1000 + (1+ 50) x 1)
IB=0,0114mA
IC=IB x ß
IC=0,0114 x 50
IC=0,57mA
VC=VCC – (IC x RC)
VC=12 – (0,57 x 10)
VC=6,3V
VE= -(VBE + IB x RB)
VE= -(0+ 0,0114 x 1000)
VE= -11,4V
VCE=VC – VE
VCE=6,3 – (-11,4)
VCE=17,7V
Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;
IB=VEE-VBE / (RB + (1+ ß) x RE)
IB=12 / (1000 + (1+ 60) x 1)
IB=0,0113mA
IC=IB x ß
IC=0,0113 x 60
IC=0,687mA
Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %18,9 değişmiştir. Yani Çift Kaynaklı Geri Beslemeli Bayaslama Devresinde kararlılık Emitör Geri Beslemeli devre ile aynıdır.