Emiteri Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci

“R_g” Giriş direnci, transistörün önemli karakteristik değerlerinden biridir.

Giriş direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

1. Şekil 6.11 ‘de verilen devrede V_BE gerilimi ve I_B akımı ölçülerek,
   R_g = V_BE/I_B
2. Şekil 6.11 ‘de verilmiş olduğu gibi, “V_BE – I_B” bağıntısını gösteren, giriş karakteristik eğrisi üzerindeki küçük bir değişim (Δ – Delta) aralığındaki ΔV_BE gerilimi ve ΔI_B akımından yararlanılarak,R_g = ΔV_BE / ΔI_B    bağıntısı ile hesaplanır.

Şekil 1 ‘de görüldüğü gibi karakteristik eğrisi lineer (doğrusal) değilir ve orjinden (sıfır noktası) başlamamktadır. I_B akımı Ge transistörlerde de V_BE=0,2 Volt ‘ta Si Transistörler de V_BE=0,6 Volt ‘ta akmaya başlar. Her iki yoldan yapılacak hesaplamalarda farklı sonuç alınacaktır. Fakat büyük bir fark olmayacaktır. Karakteristik eğrisi hassas bir çalışma sonucu çıkarıldığından daha doğru sonuç verir. Ancak ölçümlerin çok iyi yapılması gerekir.

Hesaplama Örneği:

Şekil 1 ‘deki giriş karakteristik eğrisinden yararlanarak., (Örneğin V_CE=4,5V iken) giriş direncinin ne olacağını hesaplayalım;

Şekil 1 ‘de görüldüğü gibi ölçüm için seçilen bölge, karakteristik eğrisinin mümkün olduğunca doğrusal bölümünde alınacaktır.

Seçilen noktadaki değişimin değeri:

ΔV_BE=0,02V     ΔI_B=10.10^-6  A ‘dır. Bu değere göre,

R_g = ΔV_BE / ΔI_B = 0,02 / 10.10^-6  dan   R_g=2000W  olarak bulunur.

Emiteri ortak bağlantıda giriş direnci, transistörden transistöre ve besleme durumuna göre 200 ila 2000 Ohm arasında değişmektedir.