Kollektör ve Emitör Geri Beslemeli Bayas

Güncelleme 15/06/2020

Bu devre adından da anlaşılacağı gibi her iki devrenin kararlılığa yaptığı etkilerin tümümü taşır.

Devre ile ilgili formüller;

I_B=V_CC-V_BE / ((ß x R_C) + R_B + (1 + (ß x R_E)))

I_C=I_B x ß

V_C=V_CC – (I_C x R_C)

V_E= I_E x R_E = I_C x R_E

V_CE=V_C – V_E

I_Csat = V_CC / (R_C + R_E)

Şimdi bir örnek yapalım
V_CC=12V
R_B=1M
R_C=10K
V_BE=0V
R_E=1K
ß=50 olsun.
I_Csat, I_B, I_C ve V_CE değerlerini bulalım.

I_Csat = V_CC / (R_C + R_E)
I_Csat = 12 / (10 + 1)
I_Csat = 1,1mA

I_B=V_CC-V_BE / ((ß x R_C) + R_B + (1 + (ß x R_E)))
I_B=12 / ((50 x 10) + 1000 + (1 + (50 x 1)))
I_B=12 / 500 + 1000 + 50
I_B=0,0077mA

I_C=I_B x ß
I_C=0,0077 x 50
I_C= 0,385mA

V_C=V_CC – (I_C x R_C)
V_C=12 – (0,385 x 10)
V_C=8,15V

V_E = I_C x R_E
V_E = 0,0385 x 1
V_E = 0,385V

V_CE=V_C – V_E
V_CE=8,15 – 0,385
V_CE=7,765V

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda I_C akımı;

I_B=V_CC-V_BE / ((ß x R_C) + R_B + (1 + (ß x R_E)))
I_B=12 / ((60 x 10) + 1000 + (1 + (60 x 1)))
I_B=12 / 600 + 1000 + 60
I_B=0,0072mA

I_C=I_B x ß
I_C=0,0072 x 60
I_C= 0,432mA

Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen I_C %12,2 değişmiştir. Yani Kollektör ve Emitör Geri Beslemeli Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen I_C akımına yansımamıştır. Bu devrenin kararlılığı yukarıdakinden daha iyidir.