Sabit Bayaslama Devresi

Bu devrenin Beyz akımı I_B=(V_CC – V_BE) / R_B olduğunu kolayca olduğunu görebiliriz. Bu formüle baktığımızda ß değerinin I_B akımı ile alakalı olamadığını, ß değeri ne olursa olsun I_B akımını değiştiremeyeceğini görülebilir. Bu devrenin Kollektör akımı ise, I_C=I_B x ß dır. Şimdi bu formülde ß değerindeki değişiklik aynen I_C akımına yansıyacaktır. Bu devre ile ilgili diğer formüller ise;

Maksimum I_C akımı: I_Csat = V_CC / R_C
Kollektör – Emitör arası voltaj: V_CE = V_CC – (I_C x R_C)

Şimdi bir örnek yapalım,
V_CC=12V
R_B=1M
R_C=10K
V_BE=0V
ß=50 olsun
I_Csat, I_B, I_C ve V_CE değerlerini bulalım.

I_Csat = V_CC / R_C;
I_Csat = 12 / 10
I_Csat = 1,2mA

I_B=(V_CC – V_BE) / R_B
I_B=(12 – 0) / 1000
I_B=0,012mA

I_C=I_B x ß
I_C=0,012 x 50
I_C=0,6mA

V_CE = V_CC – (I_C x R_C)
V_CE = 12 – (0,6 x 10)
V_CE = 6V olur.

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. I_B akımı aynı kalacak fakat I_C;

I_C=I_B x ß
I_C=0,012 x 60
I_C=0,72mA olur.
Yani Sabit Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen I_C akımına yansıyacaktır.

Bu devrenin beyz akımını oluşturan gerilim doğrudan kollektör gerilimidir. Şimdi dikkat edelim. Kollektör gerimi kollekör akımına bağlıdır. Kollektör akımı da ß değerine bağlıdır. Örneğin ß değerinin arttığını düşünelim. Bunun sonucu olarak I_C akımı artacak fakat V_CE gerilimi azalacaktır. V_CE gerilimi I_B akımını sağladığı için, I_B akımına azaltma etkisi gösterecektir. Bu da ß artmasından dolayı I_C akımının artışını azaltacaktır. Bu devrenin Formülleri;

I_B=(V_CC – V_BE) / (ß x R_C + R_B)
I_C=I_B x ß
V_CE = V_CC – (I_C + I_B) x R_C

I_B, I_C akımından çok küçük olursa I_C akımının yaklaşık değeri;
V_CE = V_CC – (I_C x R_C) formülü de kullanılabilir.

I_Csat = V_CC / R_C

Şimdi bir örnek yapalım,
V_CC=12V
R_B=1M
R_C=10K
V_BE=0V
ß=50 olsun.
I_Csat, I_B, I_C ve V_CE değerlerini bulalım.

I_Csat = V_CC / R_C
I_Csat = 12 / 10
I_Csat = 1,2mA

I_B=(V_CC – V_BE) / (ß x R_C + R_B)
I_B=12 / (50 x 10 + 1000)
I_B=12 / 1500
I_B=0,008mA

I_C=I_B x ß
I_C=0,008 x 50
I_C=0,4mA

V_CE = V_CC – (I_C x R_C)
V_CE = V_CC – (I_C x R_C)
V_CE = 12 – (0,4 x 10)
V_CE = 8V

Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda I_C akımı;

I_B=(V_CC – V_BE) / (ß x R_C + R_B)
I_B=12 / (60 x 10 + 1000)
I_B=12 / 1600
I_B=0,0075mA

I_C=I_B x ß
I_C=0,0075 x 60
I_C=0,45mA

Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen I_C %12,5 değişmiştir. Yani Kollektör Geri Besleme Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen I_C akımına yansımayacaktır. Transistörün çalışma noktasının kararlılığı bu devrede daha iyidir.

Benzer Yazılar

• BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖRÜ
• Temel Transistör Devreleri
• Transistörün Doyma Halinde Anahtarlama Elemanı Olarak Çalıştırılması
• Transistörlerin Üzerindeki Harflerin ve Rakamların Okunması
• Ton Kontrolü
• Transistörün Dört Bölge Karakteristiği
• Volüm Kontrolü
• Çift Kaynaklı Bias
• TRANSİSTÖRLÜ FLİP FİLOP
• PRATİK TRANSİSTOR DEVRE HESABI