UJT ve TRİSTÖRÜN UJT İLE TETİKLENMESİ

 1) UJT’ nin yapısı ve çalışması :

N maddesinden bir gövde içerisine P madde eklenmesi ile yapılmış tek PN bileşimli bir yarı iletken elemandır. UJT’ nin açılmış hali Tek bileşimli ( jonksiyonlu ) transistördür. Bu eleman transistör olarak geçmesinin yanı sıra çalışma, yapı ve özellikler açısından BJT transistörlerden çok farklıdır.

image0051 1
UJT’ nin uçları Beyz1 (B1), Beyz2 (B2), ve Emiter (E)’ dir. B1 – B2 arası normalde yüksek dirençli bir N maddesidir. UJT’ nin yapısı incelendiğinde tek bir PN bileşimi görülür. Bu yüzden bu nokta bir diyot özelliği gösterir. UJT’ nin eşdeğer devresinde bileşim noktası A harfi ile gösterilmiştir. A noktası ile B2 ucu arasında kalan kısım RB2 ile gösterilmiştir ve bir sabit direnç özelliği gösterir. A noktası ile B1 ucu arasında kalan kısım RB1 ile gösterilmiştir ve gerilimle değişen bir direnç özelliği gösterir. B2 ucuna + , B1 ucuna – gelecek şekilde bir gerilim uygulandığında B2’den B1’e ihmal edilebilecek çok ufak bir sızıntı akımı akar. B2 – B1 arasına uygulanan bu voltajdan dolayı A noktasında (RB1/ ( RB1+RB2))x Vbb değerinde bir gerilim görülür. Emiterden uygulanan gerilim, A noktasındaki gerilimden 0,7 V kadar fazla olduğunda diyot iletime geçer ve aynı zaman da RB1 direnç değeri aniden çok azalır. Böylece emiterden beyz1’e doğru yüksek değerlikli bir akım akar. UJT iletime geçmiş olur. UJT iletime geçerken RB1 direncinin üstündeki voltajın ( Bu voltaj A noktası ile B1 arasındaki voltajdır) azalmasına karşılık geçen akımın artması bu elemanın negatif direnç özelliği gösterdiğinin bir işaretidir.
UJT’de (RB1 / RB1+RB2) oranı h (eta) ile gösterilir ve bu değer kataloglarda belirtilir. UJT’ nin iletime geçmesi için gerekli minimum emiter voltajına ateşleme gerilimi (Vp) denir. Bu değer B1 – B2 arasına uygulanan Vbb ve h değerlerine bağlıdır.
Vp = 0,7 + h. Vbb

Ve emiter voltajı Vp değerine ulaştığı anda UJT iletime geçerek Emiter akımı akmaya başlar. Bu esnada Ve gerilimi minimum değere düşer.Bu değer vadi gerilimi (Vv) ismini alır.

2) UJT’li osilatörün çalışması ve özellikleri:

image0066 1

Yukarıdaki şekilde UJT ile yapılmış bir relaksasyon (gevşemeli) osilatörün devre şeması ve çeşitli noktalardaki dalga şekilleri gösterilmiştir. Devredeki R1 Ve C1 elemanları bir zaman sabiti devresi oluşturmaktadır. Bu yüzden devreye gerilim uygulandığı anda C1 kondansatörü şarj olmaya başlar. C1 üstündeki gerilim (Ve), ateşleme gerilimine (Vp) ulaştığında UJT iletime geçer ve Ve gerilimi düşer. Bu esnada yüklü kondansatör UJT’nin emiteri üstünden hızlıca deşarj olur. Bu deşarj akımı R3 üstünde kısa süreli bir pals oluştururken, Vç2 ucunda da kısa süreli bir gerilim azalmasına sebep olur. Bundan sonra C1 kondansatörü tekrar şarj olarak yeni bir periyot başlamış olur. Eğer istersek Vç1 ucunda elde edilen kısa süreli palsleri bir tristörün geytine vererek, tristörü tetikleyebiliriz. Devrede kondansatör şarja kıyasla çok daha kısa sürede deşarj olur çünkü kondansatör emiter ve R3 üstünden deşarj olmaktadır. UJT iletindeyken E – B1 direnci çok azdır.

3. UJT’ li tristör tetiklemenin faydaları:

UJT’li osilatör devresinde çalışma frekansı R1 ve C1 elemanları ile kolaylıkla kontrol edilebilir. Bu sayede bir tristörü tam olarak 0 ile 180 dereceler arasında tetikleyebiliriz. Normalde AC devrelerde kullanılan direnç-diyotlu tetikleme devresi tam olarak 0-180 derece tetiklemesi sağlamaz. Bu dezavantaj böyle bir devre ile giderilebilir. Bu devre sayesinde hassas tetikleme zamanlaması yapılabilmektedir.

Yorum bırakın

Scroll to Top