Yalıtılmış Kapılı Transistör (IGBT)

Günümüzde en çok kullanılan elemanlardan birisi olan IGBT, BJT ve E- MOSFET karışımı özel bir elemandır.
BJT’nin iyi tarafı iletim iç direncinin dolayısıyla da iletim kayıplarının küçük olması, kötü tarafı da anahtarlama süresinin uzun olması dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının fazla olmasıdır.
E-MOSFET’lerde ise BJT’nin tam tersi durum söz konusudur. Yani MOSFET’in kötü tarafı, iletim iç direncinin yüksek dolayısıyla iletim kayıpları çok iken, iyi tarafı ise anahtarlama süresinin dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının BJT’ye  göre az olmasıdır.
BJT ve E-MOSFET’ in iyi özellikleri alınarak yapılan IGBT’nin girişi MOSFET gibi yapılandırılmış, çıkışı ise BJT gibi yapılandırılmıştır.
Bu sayede 400V ve üzeri gerilim değerlerinde çalışabilme imkanı sağlanmış olur.
Güç elektroniği uygulamalarında daha çok DC-DC dönüştürücü ve DC-AC dönüştürücü devrelerinde kullanılır.
Çok düşük frekans değerlerinden (1-2Hz) orta frekanslara (20kHz) kadar kontrollü anahtar olarak kullanılabilmektedir.
1200V-400A seviyelerine kadar olan versiyonları bulunmaktadır.

Benzer Yazılar

• IGBT Nedir ?
• Bootstrap Tekniği
• MOSFET ve IGBT
• MOSFET ve IGBT Sürme