Etiket Arşivi: Yarı İletken

Enerji Seviyeleri ve Bant Yapıları

Elektronlar, atom çekirdeği etrafında belirli yörüngeler boyunca sürekli dönmektedir. Bu hareket, dünyanın güneş etrafında dönüşüne benzetilir. Hareket halindeki elektron, şu iki kuvvetin etkisi ile yörüngesinde kalmaktadır: Çekirdeğin çekme kuvveti Dönme …

Devamı »

Yarı İletken

Elektrik akımının bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir. Yarı iletkenlerin yapımında kullanılan en çok kullanılan maddeler silikon ve germanyumdur. Plajdaki kum bir …

Devamı »

YARI İLETKENLER VE DİYOT

YARI İLETKENLER 1940’lı yılların sonlarında yarıiletken transistörün ortaya çıkması ile birlikte, elektronik endüstrisinde çok hızlı gelişmeler olmuştur. Gerçekleşen minyatürleşme sayesinde, günümüzde daha önceki devrelerde kullanılan tek bir elemanın boyutlarından binlerce …

Devamı »

YARI İLETKENLER

Elektrik akımını bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir. Yarı iletkenler periyodik cetvelde 3. ve 5. gruba girerler. Bu demektir ki son yörüngelerinde …

Devamı »

N-TİPİ VE P-TİPİ YARI İLETKENLER

Yarı iletken malzemeler, akımı iyi iletmezler. Aslında ne iyi bir iletken, nede iyi bir yalıtkandırlar. Çünkü valans bandındaki boşlukların ve ilettim bandındaki serbest elektronların sayısı sınırlıdır. Saf silisyum veya germanyum’un mutlaka serbest elektron …

Devamı »

YARI İLETKENLİ ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

Yarı iletkenler ısı, ışık ve başka türlü bir etki altında bırakıldıklarında ancak bir miktar valans elektronu serbest kaldığından iletkenlik durumuna geçerler. Dış etken olmadığı sürece iletken madde değildirler. Bu nedenle …

Devamı »