Bootstrap Tekniği
Alan Etkili Transistör FETMosfet ve igbt leri sürmenin diğer bi yolu ise mosfet, igbt driver entegresi kullanmaktır. Bu entegreler bootstrap kapasitörünü şarj için […]
Aktif Devre Elemanları
MOSFET Body Diode
Alan Etkili Transistör FETMosfetlerin drain-source uçlarına paralel olacak şekilde, Drain kısmına ters polarlanmış yani reverse biased olmuş şekilde diyot bulunur. Bu diyot mosfetin
Gate Akımı Hesaplanması
Alan Etkili Transistör FETC1 = Ciss ve C2 = Crss olarak datasheetlerde geçebilmektedir. dV kısmı 10V olarak yani gate-source arasına verdiğimiz Vgs voltajıdır.
MOSFET Giriş Empedansı ve Miller Efekti
Alan Etkili Transistör FETMosfetin giriş empedansı yani gate ucundaki empedans çok yüksek olmaktadır. Vgs 10V iken, gate akımı nanoamper civarında olabilir. Tüm mosfetlerin
Saturation Region – Doyum Alanı
Alan Etkili Transistör FET1) Vgs voltajı Vth eşik voltajından daha büyüktür. 2) Mosfet tamamen on halinde yani Ids kısmı kısa devre halinde gibidir.
Cutoff Region – Kesim Alanı
Alan Etkili Transistör FETmosfet ve devremiz olduğunu varsayarsak cutoff alanında iken; 1) Vgs voltajı 0 olduğundan dolayı mosfetin Ids tarafı açık devre olarak
IGBT Nedir ?
TransistörIGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Nedir? Devre elemanı sürerken mosfet gibi, iş yaparken bipolar transistör gibi davranır. Insulated
Zener Diyot
DiyotZener Diyot nedir ? Mutlaka inceleyin : Zener Diyot ve Karakteristiği Zener diyot, ters polarma altında çalışan ve gerilim regülasyonunda