Kategori: Alan Etkili Transistör FET

Power mosfet yani güç mosfetleri, SMPS lerde en çok kullanılan anahtarlama elemanlarıdır. BJT transistörleri anlatmama sebebim az kullanılıyor olmalarıdır. Mosfetler

Mosfet ve igbt gibi anahtarlama elemanlarının yüksek frekansla çalıştırdığımız zaman, anahtarlama işlemlerini, açılıp kapanma işlemlerini olabildiğince hızlı yapabilmek zorundalardır. Kimi

Asıl amaçları izolasyon ve floating node da olan mosfetin anahtarlamasını yapmaktır. C ile yazılmış olan kapasitörler, gate-source arasında capacitive voltage

Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör Mosfetler analog ve digital devrelerde sık

Mosfet ve igbt leri sürmenin diğer bi yolu ise mosfet, igbt driver entegresi kullanmaktır. Bu entegreler bootstrap kapasitörünü şarj için

Mosfetlerin drain-source uçlarına paralel olacak şekilde, Drain kısmına ters polarlanmış yani reverse biased olmuş şekilde diyot bulunur. Bu diyot mosfetin

C1 = Ciss ve C2 = Crss olarak datasheetlerde geçebilmektedir. dV kısmı 10V olarak yani gate-source arasına verdiğimiz Vgs voltajıdır.

Mosfetin giriş empedansı yani gate ucundaki empedans çok yüksek olmaktadır. Vgs 10V iken, gate akımı nanoamper civarında olabilir. Tüm mosfetlerin

1) Vgs voltajı Vth eşik voltajından daha büyüktür. 2) Mosfet tamamen on halinde yani Ids kısmı kısa devre halinde gibidir.

mosfet ve devremiz olduğunu varsayarsak cutoff alanında iken; 1) Vgs voltajı 0 olduğundan dolayı mosfetin Ids tarafı açık devre olarak