BJT ‘lerde olduğu gibi JFET ‘lerde de 3 terminal vardır. Bunlar; Drain (Oluk, Akaç), Source (Kaynak) ve Gate (Kapı, Geçit) dir. Transistörlerde, kollektörün karşılığı drain, emiterin karşılığı source, beyzin karşılığı gate ‘dir. Transistörler nasıl NPN ve PNP tipi olmak üzere iki tipte ise JFET ‘ler de; * n – kanallı JFET * p – kanallı […]
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör – BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT ‘ler, hem elektron akımı hem de delik (boşluk) akımının kullanıldığı akım kontrollü elemanlardır. FET (Field Effect Transistör – Alan Etkili Transistör) ise yüksek giriş empedansına sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemandır. Elektrik alanı prensiplerine
Şekil 1: JFET sembolleri P kanal JFET ile N kanal JFET’in çalışması aynı olup beslemelerin polariteleri ile N ve P maddelerin yerleri değişmektedir. Ortadaki N maddesinin bir ucu D (drain – akaç), diğer ucu ise S (source – kaynak) olarak adlandırılır. Ortadaki bu parça aynı zamanda kanal – channel olarak adlandırılır. Kanalın alt üst kısımlarındaki
FET, çoğunluk yük taşıyıcısı görevini üstlenebilir. Bu görevini de Source (Kaynak) veDrain (Kanal) uçları arasında gerçekleştirir. FET üzerinde 3 terminal bulunmaktadır: Source (Kaynak), Drain (Kanal) ve Gate (Kapı). Kaynak terminalinden taşıyıcılar giriş yaparken Kanal terminalinden çıkış yaparlar. Kapıyavoltaj uygulandığında ise kontrollü bir şekilde kanal iletkenliği modülasyonusağlanmış olur. BJT çeşidi olan çift kutuplu transistörde Emiter, Kollektör
FET – Field Effect Transistör BJT’ler akım-kontrollü devre elemanları iken FET’lerler voltaj-kontrollüdür. FET’lerin giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak 1 MΩ ile birkaç yüz MΩ aralığındadır. Bu değerler BJT’lerin giriş empedansı değerleri ile kıyaslandığında oldukça yüksektir ve AC sinyal yükselteci tasarımları için istenilen bir özelliktir. BJT’ler de FET’lere nazaran giriş sinyalindeki değişimlere daha duyarlıdır. Bu
Yarı iletken bir bileşen olan FET yapısında doğal olarak ilk önce silikon bulunuyor. Ancak yarı iletken teknolojisinin gelişmesiyle yarı iletken malzeme olarak silikon yerine kristal kesim teknikleri de kullanılabiliyor.Silikon Karbit (SiC), Galyum Arsenit (GaAs), Galyum Nitrid (GaN), Indiyum Galyum Arsenit (InGaAs) gibi malzemeler de FET bünyesinde mevcut. 2011 yılında IBM, grafen temelli bir FET ürettiğini
FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 MΩdüzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü bir cihaz ve giriş-çıkış arası yüksek bir izolasyona sahip. Ayrıca kutupsuz bir cihaz olması sayesinde elektronik gürültü miktarı da az. Radyasyona karşı da dayanıklı. Termal kapasitesi ise BJT’ye göre oldukça stabil. Dezavantajları ise, bant genişliği BJT’ye
Güç MOSFET Sınırlaması : Datasheet bilgisi olarak geçen bu sınırlamaların başında kapı-oksit bozulma sınırı bulunur. 100 nm kalınlığında olan oksit tabaka, bu inceliğinden dolayı sınırlı voltaj taşıyabilir. Çoğunlukla bu sınır değer 20V oluyor. Drain (Kanal) – Source (Kaynak) arası maksimum voltaj değeri de bir diğer sınır. Aktif durumdan pasif duruma geçerken gerçekleşen gerilim düşümü terminallere