Fetlerin Yapısı
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör – BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT […]
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör – BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT […]
Şekil 1: JFET sembolleri P kanal JFET ile N kanal JFET’in çalışması aynı olup beslemelerin polariteleri ile N ve P
FET, çoğunluk yük taşıyıcısı görevini üstlenebilir. Bu görevini de Source (Kaynak) veDrain (Kanal) uçları arasında gerçekleştirir. FET üzerinde 3 terminal
FET, Field Effective Transistor yani alan etkili transistör, yarı iletken malzeme içerisinde kanal akımını ve iletkenliğini yük taşıyıcıları yardımıyla değiştirmeye yarayan bir elemandır.
Yarı iletken bir bileşen olan FET yapısında doğal olarak ilk önce silikon bulunuyor. Ancak yarı iletken teknolojisinin gelişmesiyle yarı iletken
FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 MΩdüzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü
Güç MOSFET Sınırlaması : Datasheet bilgisi olarak geçen bu sınırlamaların başında kapı-oksit bozulma sınırı bulunur. 100 nm kalınlığında olan oksit