Drain – Source Karakteristiği: Bu karakeristik eğri drain akımının (ID), drain – source gerilimine (VDS) göre bir grafiği olduğundan, drain karakteristiği adınıda almaktadır. VGS=0 Volt için çizilen eğride, VDS …
Devamı »Alan Etkili Transistör FET
JFET ‘in Çalışması
BJT ‘lerde olduğu gibi JFET ‘lerde de 3 terminal vardır. Bunlar; Drain (Oluk, Akaç), Source (Kaynak) ve Gate (Kapı, Geçit) dir. Transistörlerde, kollektörün karşılığı drain, emiterin karşılığı source, beyzin karşılığı …
Devamı »Fetlerin Yapısı
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör – BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT ‘ler, hem elektron akımı hem de delik (boşluk) akımının kullanıldığı …
Devamı »JFET
Şekil 1: JFET sembolleri P kanal JFET ile N kanal JFET’in çalışması aynı olup beslemelerin polariteleri ile N ve P maddelerin yerleri değişmektedir. Ortadaki N maddesinin bir ucu D (drain …
Devamı »FET
FET, çoğunluk yük taşıyıcısı görevini üstlenebilir. Bu görevini de Source (Kaynak) veDrain (Kanal) uçları arasında gerçekleştirir. FET üzerinde 3 terminal bulunmaktadır: Source (Kaynak), Drain (Kanal) ve Gate (Kapı). Kaynak terminalinden …
Devamı »FET
FET, Field Effective Transistor yani alan etkili transistör, yarı iletken malzeme içerisinde kanal akımını ve iletkenliğini yük taşıyıcıları yardımıyla değiştirmeye yarayan bir elemandır. Tek kutuplu olan FET, çift kutuplu olan standart BJT transistörlerden çok …
Devamı »FET Bileşenleri ve Çeşitleri
Yarı iletken bir bileşen olan FET yapısında doğal olarak ilk önce silikon bulunuyor. Ancak yarı iletken teknolojisinin gelişmesiyle yarı iletken malzeme olarak silikon yerine kristal kesim teknikleri de kullanılabiliyor.Silikon Karbit …
Devamı »FET’in Avantaj ve Dezavantajları
FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 MΩdüzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü bir cihaz ve giriş-çıkış arası yüksek bir izolasyona sahip. Ayrıca kutupsuz …
Devamı »Güç MOSFET Sınırlaması
Güç MOSFET Sınırlaması : Datasheet bilgisi olarak geçen bu sınırlamaların başında kapı-oksit bozulma sınırı bulunur. 100 nm kalınlığında olan oksit tabaka, bu inceliğinden dolayı sınırlı voltaj taşıyabilir. Çoğunlukla bu sınır …
Devamı »