Alan Etkili Transistör FET

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (MOSFET)

Alan Etkili Transistör FET

Elektronikte çok kullanılan mosfetler çoğunlukla; 1- Yükselteç olarak 2- Osilatör olarak 3- Regülatör olarak 4- Alıcı- verici olarak 5- Mantık işlemcisi olarak 6- Anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Mosfetler çoğunlukla yükseltme ve osilasyon üretmede kullanılır. Mosfetler FET’lerin ileri versiyonu olup BJT’ler gibi kontrol edebilme özelliğine sahiptir.

nkanal pkanal jfet

JFET

Alan Etkili Transistör FET

BİRLEŞİM ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (JFET) JFET, kanaldaki akımı kontrol etmek için ters kutuplanmış bir ekleme sahip olan bir Alan Etkili Transistör çeşididir. JFET sembolleri Şekil 1 de gösterilmiştir. JFET yapısına göre, n-kanal ve p-kanal olmak üzere ikiye ayrılır. Şekil 2.(a) ve (b) de bu her iki tip JFET görülmektedir. Şekil 2.(a) daki n-kanal JFET’te n

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (FET)

Alan Etkili Transistör FET

FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955’li yıllara dayanmaktadır. Fakat o zamanki üretim teknolojileri bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı. FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi

JFET – BİRLEŞİM ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

Alan Etkili Transistör FET

JFET, kanaldaki akımı kontrol etmek için ters kutuplanmış bir ekleme sahip olan bir Alan Etkili Transistör çeşididir. JFET sembolleri Şekil 1 de gösterilmiştir. JFET yapısına göre, n-kanal ve p-kanal olmak üzere ikiye ayrılır. Şekil 2.(a) ve (b) de bu her iki tip JFET görülmektedir. Şekil 2.(a) daki n-kanal JFET’te n tipi kanalın her iki ucuna

JFET ‘in Polarmalandırılması

Alan Etkili Transistör FET

a) Sabit Polarma Şekil 1 (a) ve (b) ‘deki gibi kullanılan JFET devrelerine sabit (fixed) polarmalı devreler adı verilir. Çünkü, gate ve source uçları arasına VGG gibi sabit bir güç kaynağı kullanışmıştır. n-kanallı JFET ‘in gate terminaline, VGG ‘nin (-) kutbu; p-kanallı JFET ‘in gate terminaline ise (+) kutbu  irtibatlandırılmalıdır. Dikkat edilmesi gereken başka bir

Fetlerin Parametreleri

Alan Etkili Transistör FET

JFET ‘e uygulanan voltajların değiştirilmesiyle, JFET ‘in gösterdiği davranışa Parametre denir. Başka bir değişle JFET karakteristiği veya sabitleridir. Üretici firmalar, elemanı tanımlamak ve farklı elemanlar arasında seçim yapabilmek için gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler. JFET parametreleri şunlardır: a) Drain – Source doyma akımı (IDSS): Gate – Source eklemi kısa devre yapıldığında Drain – Source arasından

JFET ‘inTransfer Karakteristiği

Alan Etkili Transistör FET

JFET elemanının transfer karakteristiği, sabit bir drain – source gerilimi VDS için gate -source VGS geriliminin bir fonksiyonu olarak ID drain akımının grafiğidir. Şekil 1 ‘de görüldüğü gibi transfer eğride iki önemli noktada IDSSve VP değerleridir. Herhangi bir noktadaki ID akımı şöyle hesaplanabilir: ID = IDSS [1- ( VGS / VP )2 Transfer karakteristik eğrisinden

JFET ‘in Karakteristiği

Alan Etkili Transistör FET

Drain – Source Karakteristiği: Bu karakeristik eğri drain akımının (ID), drain – source gerilimine (VDS) göre bir grafiği olduğundan, drain karakteristiği adınıda almaktadır.   VGS=0 Volt için çizilen eğride, VDS arttıkça drain akımının doyum düzeyine kadar arttığı görülmektedir. VGS=0 için bu doyum akımı IDSS olarak adlandırılır. Başka bir ifadeyle IDSS akımı, gate – source eklemi

Scroll to Top