Fetlerin Parametreleri

Güncelleme 16/08/2024

JFET ‘e uygulanan voltajların değiştirilmesiyle, JFET ‘in gösterdiği davranışa Parametre denir. Başka bir değişle JFET karakteristiği veya sabitleridir. Üretici firmalar, elemanı tanımlamak ve farklı elemanlar arasında seçim yapabilmek için gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler.
JFET parametreleri şunlardır:

a) Drain – Source doyma akımı (IDSS): Gate – Source eklemi kısa devre yapıldığında Drain – Source arasından akan akımdır.

b) Gate – Source kapama gerilimi (kritik gerilim, VP): Drain – Source kanalının kapandığı (hiç akım geçirmediği) gerilim değeri VP ile gösterilir. VP değerini ölçebilmek için kullanılan devre Şekil 1.10 ‘da verilmiştir. Bu parametreye VGS-off ‘da denir.

c) Gate – Source kırılma gerilimi (B VGSS): Bu parametre belirli bir akımda drain – source kısa devre iken ölçülür. Uygulamada bu değerin üzerine çıkılması halinde eleman hasar görebilir.

d) Geçiş İletkenliği (gm): JFET ‘ler sabit akım elemanı olduğundan drain voltajındaki değişiklikler drain akımında çok fazla bir değişiklik yapmaz, Genelde drain akımı gate voltajı ile kontrol edilir. Bu nedenle JFET ‘lerin önemli parametrelerinden biri, drain akım değişimine göre gate voltaj değişimidir. Bu parametre geçirgenlik (transconductance -gm) olarak bilinir.
Geçirgenlik, VD sabit iken drain akım değişiminin, gate – source arası voltaj değişimine oranıdır.

gm = ΔID / ΔVGS (VDS = Sabit)

Geçirgenlik, direncin tersi olduğu için birimi (MHO) veya Siemens ‘tir.

gm = (2.IDSS / |VP|) [1-(VGS/VP)]

gm = (2.IDSS / |VP|) √(ID/IDSS)

formülleri ile de JFET ‘in geçirgenliği hesaplanabilir.

e) Drain – Source iletim direnci (rds): Bu parametre, belirli bir gate – source gerilimi ve drain akımından ölçülen gerilim drain -source iletim direnci, JFET ‘in anahtar olarak kullanılmasında önem taşır. Bu değer, on ila birkaç yüz arasında değişir.