IRFZ44N transistörü Infineon Technologies tarafından üretilen bir MOSFET güç transistörüdür. Yüksek voltaj ve akım seviyelerini anahtarlama kapasitesiyle bilinir. MOSFET, çıkışa düşük, girişe ise yüksek direnç gösteren bir transistör türü olan Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör anlamına gelir. IRFZ44N, maksimum 55 volt voltaj ve maksimum 49 amper akım taşıyabilir. Güç kaynağı ve motor kontrol devreleri […]
Power mosfet yani güç mosfetleri, SMPS lerde en çok kullanılan anahtarlama elemanlarıdır. BJT transistörleri anlatmama sebebim az kullanılıyor olmalarıdır. Mosfetler BJT lerden yaklaşık 10 kat daha yüksek anahtarlama yapabilme kabiliyetleri vardır ve dizaynda kullanılmaları daha kolaydır. Mosfet voltaj kontrollü bir anahtarlama elemanıdır. Mosfeti sürebilmek için mosfetin, saturation ve cutoff yani doyum ve kesim alanlarında çalıştırılıyor
Mosfet ve igbt gibi anahtarlama elemanlarının yüksek frekansla çalıştırdığımız zaman, anahtarlama işlemlerini, açılıp kapanma işlemlerini olabildiğince hızlı yapabilmek zorundalardır. Kimi zaman bu hızı artırma amacı ile kimi zaman PWM sinyalinin gate ucuna daha temiz ve düzgün gelmesi amacı ile çeşitli sürme teknikleri uygulanmaktadır. Mosfeti yeterince hızlı sürebilmek için, GS uçları arasına mosfeti saturasyona sokacak miktarda
Asıl amaçları izolasyon ve floating node da olan mosfetin anahtarlamasını yapmaktır. C ile yazılmış olan kapasitörler, gate-source arasında capacitive voltage divider oluşturarak, gate in mosfeti sürerkenki voltajını düşürecektir. Üstteki devredeki unipolar driver çıkışlıdır, C coupling kapasitörleri kullanılmalıdır. Alttaki bipolar da ise kullanılması zorunlu değildir. Ayrıca alttaki şemada ikinci sekonderin noktasının farklı olduğunu yani giriş ile
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör Mosfetler analog ve digital devrelerde sık kullanılan bir alan etkili transistördür. MOSFET’in Su Modeli MOSFET’li devreleri optimum şekilde tasarlayabilmek için MOSFET’in çalışma prensibini anlamak önemlidir. Yukarıdaki animasyonda MOSFET’in çalışma prensibi su ile modellenmiştir. İdealde sıfır kabul edilen Gate akımı, animasyonda görüldüğü
Mosfet ve igbt leri sürmenin diğer bi yolu ise mosfet, igbt driver entegresi kullanmaktır. Bu entegreler bootstrap kapasitörünü şarj için kullanarak, gate voltajının source voltajından her zaman bootstrap kapasitöründeki voltaj kadar fazla olmasını sağlar. Bu sayede mosfet ve igbt anahtarlaması yapılabilir. C4 ve C3, VDD beslemesi ile ilgilidir. C4 transient gerilimleri önler, C3 ise beslemenin
Mosfetlerin drain-source uçlarına paralel olacak şekilde, Drain kısmına ters polarlanmış yani reverse biased olmuş şekilde diyot bulunur. Bu diyot mosfetin uçlarında ters gerilimin oluşmasını önlemek içindir. Bu diyot normal rectifier doğrultucu diyotlardan daha hızlı olmasına rağmen schottky hızlı diyotlardan daha yavaştır. Özellikle half ve full bridge topolojilerinde, motor drive devreleri ve endüktif yükler body diode
C1 = Ciss ve C2 = Crss olarak datasheetlerde geçebilmektedir. dV kısmı 10V olarak yani gate-source arasına verdiğimiz Vgs voltajıdır. tr = trise süresi diye geçer. Yani mosfetin on oluncaya kadar ki geçen zamandır. C1 ve C2 lerin birimi faraddır. Vcc = Vdc dir. C2 deki akım, I2, I1 den daha büyük olacağı için I1