Asıl amaçları izolasyon ve floating node da olan mosfetin anahtarlamasını yapmaktır.
C ile yazılmış olan kapasitörler, gate-source arasında capacitive voltage divider oluşturarak, gate in mosfeti sürerkenki voltajını düşürecektir. Üstteki devredeki unipolar driver çıkışlıdır, C coupling kapasitörleri kullanılmalıdır. Alttaki bipolar da ise kullanılması zorunlu değildir. Ayrıca alttaki şemada ikinci sekonderin noktasının farklı olduğunu yani giriş ile faz farkı olduğuna dikkat edin. Eğer half bridge yada full bridge ise, üstteki mosfet ile alttaki mosfet trafoda faz farkı yaratılarak sürülür böylece kısa devre ihtimali ortadan kalkar.
Driver çıkışları yada entegre çıkışları, eğer single ended yani active turn on, passive turn off devreleri ise, mosfet yada igbt nin off, kapanış zamanı yavaş olacaktır. Fakat totem pole çıkışlar kullanılırsa daha hızlı olacaktır.
Ferrite toroid yada E nüvesi (sanırım ferrite olması yeterli) gate drive transformer olarak kullanılabilir. Hava boşluğu gerekmemektedir. Yüksek geçirgenliği olan başka bi nüve de hava boşluğu olmadan kullanılabilir. Tel olarak kitapta okuduğuma göre 32 ile 36AWG arası tel kullanılmakta. Fakat siz skin depth formülüne göre de kendiniz kablo kullanabilirsiniz. Skin depth formülünü sonra ayrıntılı anlatabilirim. Gerçi çok bi ayrıntısı olmasada önemli bi konu.
Bmax değeri 100 derecede Bsat yani doyum akı değerinin yarısı olmalıdır. Fakat Bmax değeri 1600G ile 2500G arası alınabilir.
Nüve seçimi kitapta yaklaşık 10-15mm olacağı yazıyor fakat neye göre nasıl almış anlam veremedim. Fakat siz gate den çekilen akımı hesaplayarak yada aşağı yukarı tahmin ederek, ilk başlarda verilen WaAc formülünde Po yu kullanarak, nüve seçebilirsiniz.
f = anahtarlama frekansı
Bmax = gauss
Ac = nüve kesit alanı, cm^2
Çıkan sonuç, en yakın tam sayıya yuvarlanmalıdır.
