FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 MΩdüzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü bir cihaz ve giriş-çıkış arası yüksek bir izolasyona sahip. Ayrıca kutupsuz bir cihaz olması sayesinde elektronik gürültü miktarı da az. Radyasyona karşı da dayanıklı. Termal kapasitesi ise BJT’ye göre oldukça stabil.
Dezavantajları ise, bant genişliği BJT’ye göre daha dar. Özellikle MOSFET çeşidi, aşırı gerilim yüklenmelerine karşı çok hassas. Bu yüzden de kullanılırken özel kontrol gerektiriyor. Ayrıca statik hasarlanma olasılığı da fazla.
