Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor)

Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor), bipolar transistör (BJT) fonksiyonlarının çoğunu gerçekleştirebilen fakat çalışması temelde farklı olan üç terminalli yarı iletken bir devre elemanıdır. Alan etkilitransistör, üzerinden geçen akımın iki çeşit yük taşıyıcısından (oyuklar yada elektronlar) sadece birine dayandığı için tek kutuplu (unipolar) bir eleman olarak bilinir. Üzerinden geçen akım dışarıdan uygulanan bir gerilim ile oluşturulan bir elektrik alanı tarafından kontrol edildiği için Alan Etkili Transistör diye adlandırılır.

FET, BJT den oldukça farklı olarak, üzerinden geçen akım miktarını gate (kapı) ucundaki gerilim ile kontrol eden, voltaj kontrollü bir devre elemanıdır. Ayrıca BJT den farklı olarak bazı uygulamalarda avantaj sağlayan oldukça yüksek giriş direncine sahiptir.Alan Etkili Transistör yapı olarak iki gruba ayrılır: Birleşim (junction) Alan Etkili Transistör yada JFET ve Metal Oksit Silikon Alan Etkili Transistör yada kısaca MOSFET. Bunun yanında kısaca VMOS adı verilen güç MOSFET’i de sayılabilir. MOSFET ise kendi içinde zenginleştirilmiş (enhancement) ve fakirleştirilmiş (depletion) tip olarak iki gruba ayrılır. Bütün bu Alan Etkili Transistör çeşitleri n-tipi yada p-tipi kanal olarak üretilebilirler.

Benzer Yazılar

YAZAR : Admin

Elektronik Mühendisi X-Işınlı Görüntüleme Sistemleri Test Kontrol ve Kalibrasyon Uzmanı (Sağ.Bak.)

BU YAZIYI DA İNCELEDİNİZ Mİ ?

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (FET)

FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955’li yıllara dayanmaktadır. Fakat o zamanki üretim teknolojileri bilim …

Bir cevap yazın