UJT, BJT transistör gibi üç bacaklı bir devre elemanı olmasına karşın çok farklı bir karakteristiğe sahiptir. UJT transistörleri, üç ayaklı ve iki tipte (N ve P tipi emiter) üretilir. Tristör ve triyak devrelerinde tetikleme için gerekli olan darbeleri üretir. Relaksasyon (gevşemeli) osilatör yapımında kullanılan yarı iletken bir devre elemanıdır. Şekilden de görüldüğü gibi bir UJT […]
a) Transistörün çalışma bölgeleri ve kullanım alanlarının açıklanması : Transistör elektronikte kullanılan en önemli elemanlardan biridir. Kullanıldığı yerleri birkaç madde altında sınırlamak zordur. Genel olarak, işlevi açısından yükseltme, anahtarlama, tamponlama vb amaçlar için kullanıldığını söyleyebiliriz. Transistörde üç çalışma bölgesi vardır. Bunlar kesim, aktif ve doyum bölgeleridir. Kesim bölgesinde transistör yalıtım durumundadır. Aktif bölge akım yükseltme işlevini gerçekleştirdiği bölgedir.
FET – Field Effect Transistör BJT’ler akım-kontrollü devre elemanları iken FET’lerler voltaj-kontrollüdür. FET’lerin giriş empedansı çok yüksektir. Tipik olarak 1 MΩ ile birkaç yüz MΩ aralığındadır. Bu değerler BJT’lerin giriş empedansı değerleri ile kıyaslandığında oldukça yüksektir ve AC sinyal yükselteci tasarımları için istenilen bir özelliktir. BJT’ler de FET’lere nazaran giriş sinyalindeki değişimlere daha duyarlıdır. Bu
Yarı iletken bir bileşen olan FET yapısında doğal olarak ilk önce silikon bulunuyor. Ancak yarı iletken teknolojisinin gelişmesiyle yarı iletken malzeme olarak silikon yerine kristal kesim teknikleri de kullanılabiliyor.Silikon Karbit (SiC), Galyum Arsenit (GaAs), Galyum Nitrid (GaN), Indiyum Galyum Arsenit (InGaAs) gibi malzemeler de FET bünyesinde mevcut. 2011 yılında IBM, grafen temelli bir FET ürettiğini
FET bileşeninin en büyük avantajı yüksek giriş direncidir. Bu direnç değeri yaklaşık 100 MΩdüzeylerindedir. Bunun yanı sıra FET, voltaj kontrollü bir cihaz ve giriş-çıkış arası yüksek bir izolasyona sahip. Ayrıca kutupsuz bir cihaz olması sayesinde elektronik gürültü miktarı da az. Radyasyona karşı da dayanıklı. Termal kapasitesi ise BJT’ye göre oldukça stabil. Dezavantajları ise, bant genişliği BJT’ye
Güç MOSFET Sınırlaması : Datasheet bilgisi olarak geçen bu sınırlamaların başında kapı-oksit bozulma sınırı bulunur. 100 nm kalınlığında olan oksit tabaka, bu inceliğinden dolayı sınırlı voltaj taşıyabilir. Çoğunlukla bu sınır değer 20V oluyor. Drain (Kanal) – Source (Kaynak) arası maksimum voltaj değeri de bir diğer sınır. Aktif durumdan pasif duruma geçerken gerçekleşen gerilim düşümü terminallere
Güçlendiriciler yada diğer isimleriyle yükseltgeçler, zayıf elektronik sinyallerinin genliklerini büyütmek için kullanılan devre bloklarıdır. Elektronik sinyaller devrelerde kullanıldıkları yere göre gerilim veya akım formunda olabilirler. Dolayısıyla transistörler de elektrik devrelerinde farklı konfigürasyonlarda bağlanarak gerilim veya akım yükseltmek için kullanılırlar. Hem akımı hem de gerilimi yükselten güçlendiricilere ise güç yükseltgeçleri denir. Gerilim ve akım kazancı sağlayan