Transistör

MOSFET Body Diode

Mosfetlerin drain-source uçlarına paralel olacak şekilde, Drain kısmına ters polarlanmış yani reverse biased olmuş şekilde diyot bulunur. Bu diyot mosfetin uçlarında ters gerilimin oluşmasını önlemek içindir. Bu diyot normal rectifier …

Devamı »

Gate Akımı Hesaplanması

C1 = Ciss ve C2 = Crss olarak datasheetlerde geçebilmektedir. dV kısmı 10V olarak yani gate-source arasına verdiğimiz Vgs voltajıdır. tr = trise süresi diye geçer. Yani mosfetin on oluncaya …

Devamı »

MOSFET Giriş Empedansı ve Miller Efekti

Mosfetin giriş empedansı yani gate ucundaki empedans çok yüksek olmaktadır. Vgs 10V iken, gate akımı nanoamper civarında olabilir. Tüm mosfetlerin içinde gate-source ve gate-drain arasında belli değerlerde kapasitans vardır. Ayrıca …

Devamı »

Saturation Region – Doyum Alanı

1) Vgs voltajı Vth eşik voltajından daha büyüktür. 2) Mosfet tamamen on halinde yani Ids kısmı kısa devre halinde gibidir. 3) İdeal durumda Vds arasında mosfet doyum alanında iken voltaj …

Devamı »

Cutoff Region – Kesim Alanı

mosfet ve devremiz olduğunu varsayarsak cutoff alanında iken; 1) Vgs voltajı 0 olduğundan dolayı mosfetin Ids tarafı açık devre olarak davranmaktadır. Böylece drain den source kısmına akım geçmeyecektir. 2) Vgs …

Devamı »

IGBT Nedir ?

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Nedir? Devre elemanı sürerken mosfet gibi, iş yaparken bipolar transistör gibi davranır. Insulated Gate Bipolar Transistor ( İzole edilmiş kapılı, iki kutuplu transistör …

Devamı »

JFET KARAKTERİSTİKLERİ

İlk olarak gate-source voltajı sıfır (VGS=0 V) olarak alınır. Bu voltaj değeri gate ucunu source ucuna bağlayarak elde edilir. Şekil 1.(a) da olduğu gibi her iki uçta toprağa bağlanır. VDD …

Devamı »

JFET’in ÇALIŞMASI

JFET’in çalışmasını Şekil 1 deki n-kanal JFET üzerinde açıklayalım. VDD gerilimi drain-source voltajını sağlar ve drain’den source’a akan akımı oluşturur. VGG gerilimi de gate-source arasındaki ters kutuplama voltajını sağlar. JFET her …

Devamı »

BİRLEŞİM ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (JFET)

JFET, kanaldaki akımı kontrol etmek için ters kutuplanmış bir ekleme sahip olan bir Alan Etkili Transistör çeşididir. JFET sembolleri Şekil 1 de gösterilmiştir. JFET yapısına göre, n-kanal ve p-kanal olmak …

Devamı »

Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor)

Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor), bipolar transistör (BJT) fonksiyonlarının çoğunu gerçekleştirebilen fakat çalışması temelde farklı olan üç terminalli yarı iletken bir devre elemanıdır. Alan etkilitransistör, üzerinden geçen …

Devamı »