Emitör Geri Beslemeli Bayas
Güncelleme 15/06/2020
Bu devre, bir önceki Kollektör Geri Beslemeli Bayas devresindeki etkiyi gösterir. Devre ile ilgili formüller;
IB=(VCC – VBE) / ((RB + (RE x (ß +1))
IC=IB x ß
VC=VCC – (IC x RC)
VE= IE x RE = IC x RE
VCE=VC – VE
ICsat = VCC / (RC + RE)
Şimdi bir örnek yapalım,
VCC=12V
RB=1M
RC=10K
VBE=0V
RE=1K
ß=50 olsun.
ICsat, IB, IC ve VCE değerlerini bulalım.
ICsat = VCC / (RC + RE)
ICsat = 12 / (10 + 1)
ICsat = 1,1mA
IB=(VCC – VBE) / ((RB + (RE x (ß +1))
IB=12/ ((1000 + (1 x (50 +1))
IB=12/ 1051
IB=0,0114mA
IC=IB x ß
IC=0,0114 x 50
IC=0,57mA
VC=VCC – (IC x RC)
VC=12 – (0,57 x 10)
VC=6,3V
VE= IE x RE = IC x RE
VE = 0,57 x 1
VE = 0,57 V
VCE=VC – VE
VCE=6,3 – 0,57
VCE=5,73V
Şimdi bu transistörün bir nedenle bozulduğunu, ve yerine aynısını taktığımızı!! düşünelim. Fakat bu transistörün ß değeri eskisinden %20 fazla olsun. Bu durumda IC akımı;
IB=(VCC – VBE) / ((RB + (RE x (ß +1))
IB=12/ ((1000 + (1 x (60 +1))
IB=12/ 1061
IB=0,0113mA
IC=IB x ß
IC=0,0113 x 60
IC=0,678mA
Bu sonuca bakacak olursak, ß %20 değişmesine rağmen IC %18,9 değişmiştir. Yani Emitör Geri Beslemeli Bayaslama Devresinde %ß değişimi aynen IC akımına yansımamıştır. Eğer kullanılan transistörün ß değeri yüksek olsaydı bu devrenin de kararlılığı iyi çıkacaktı. Bu devrenin kararlılığı Kollektör Geri Besleme Bayaslama Devresinden daha kötüdür.
