şekil-1 ‘de görülen Sabit beyz polarma devresi, DC polarma devreleri içerisinde en basit ve uygulaması en kolay olanıdır. Bu avantajının yanı sıra, sıcaklık karşısında değeri en fazla değişen çalışma noktasına sahip olduğundan pratik kullanımda pek tercih edilmez. Bunun yanı sıra, analizinin basitliği polarma devrelerinin anlaşılmasında büyük fayda sağladığından, buradada kısaca değineceğiz.
Şekil-1 Sabit Beyz Polarma Devresi
şekil-1 ‘de görüldüğü gibi beyz polarması RB direnci üzerinden sabit bir değerde tutulmaktadır. şekil-2 ‘de ise VCC kaynağından çıkan ve transistör uçları arasında akan akımlar görülmektedir.
Şekil-2 Sabit Beyz Polarma Devresi ve Akımları
Yukarıdaki iki şekildende görüleceği üzere, eğer IB akımının izlediği yol üzerinden bir çevre denklemi yazarsak(Kirchoff’un gerilim kanunundan yararlanarak),
olduğundan, sıcaklık değişimi karşısında b ‘nın değeri artacağından, IC akım değeride artacaktır. Buna bağlı olarak VCE gerilimide değişecektir. Burada b ‘nın değerini sıcaklık karşısında sabit bırakma şansına sahip olmadığımızdan, onun yarattığı etkiyi azaltma yoluna gitmek zorundayız. Buda ancak uygun polarma devresi ile sağlanır. Burada IC değerini sabit bırakmak istiyorsak(b ‘nın değerinin sıcaklıkla arttığı durumda), IB değerini sıcaklıkla ters orantılı olarak düşürmek zorundayız. Ama sabit beyz polarması için Eşitlik-6.2 ‘dende görüldüğü bu mümkün değildir. çünkü IB değerini veren VCC, VBE ve RB değerleri yaklaşık olarak sabit olduğundan, IB akımıda sabit olacaktır. Buradan anlaşılacağı üzere sabit beyz polarması sıcaklık karşısında kararlılığı iyi olmayan, yani çalışma noktası akım ve gerilim değerlerini sıcaklıktan bağımsız hale getiremeyen bir yapıya sahiptir. Bu yüzden daha öncede değinildiği gibi pratikte pek kullanım şansı bulunmaz.
Örnek :
şekil-1 ‘de görülen devrede VCC=13.6 Volt, b=145 ve transistör silisyum tipinde olduğuna göre, VCE=6.8 Volt iken IC=5 mA olabilmesi için gerekli olan RC ve RB değerlerini hesaplayınız.
Çözüm:
Eşitlik 6.5 ‘de değerler yerine konulur ve RC değeri çekilirse;
Not: Silisyum transistör için VBE gerilimi 0.7 Volt olarak alınmıştır.