Beyzi Ortak Bağlantının Statik Çıkış Direnci
BOB statik çıkış direnci, kollektör ile beyz arasında ölçülen dirençtir. Hem ölçü aletleri vasıtasıyla, hem de Şekil 1’de verilmiş olan […]
BOB statik çıkış direnci, kollektör ile beyz arasında ölçülen dirençtir. Hem ölçü aletleri vasıtasıyla, hem de Şekil 1’de verilmiş olan […]
“Rg” Giriş direnci, transistörün önemli karakteristik değerlerinden biridir. Giriş direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür: Şekil 6.11 ‘de verilen devrede VBE
Bir yükselteç devresi düzenlenirken önce çalışma noktasının seçimiyle başlanır. Çalışma noktasının seçimi için, transistör üreticisi tarafından verilen, gerek karakteristik değerlerden,
Sabit polarma yönteminde, Şekil 1 (a) ve (b) de görüldüğü gibi iki ayrı uygulama yapılmaktadır. Kollektör Beyz veya Kollektör Emiter
Bir transistör hakkında bilgi edinmek gerektiğinde üzerindeki ve katalogdaki bilgilerden yararlanılır. Daha geniş bilgi içinde, üretici firmadan yayınlanan tanıtım kitabına
Entegre ( integrated circuit – IC ) İngilizcede Entegre yerine kullanılan “Chip” ismi, ahşap yongası anlamına gelmektedir. Bu terimin tam olarak Türkçe karşılığı ise “Yonga”dır.
Fotodiyot, yalnızca ters polarma bölgesinde çalıştırılan bir yarıiletken elemandır. Fotodiyot için kullanılan temel polarmalandırma yöntemi, devresi ve fotodiyot simgesi aşağıdaki
Kristal Diyot Diyot çeşitleri içerisinde en eski ve en çok kullanılan türüdür. Kristal diyotlar içerisinde en iyi bilinenler ise 1N400X
Güç elektroniği devrelerinde sıklıkla kullanılan anahtarlama elemanlarından olan transistörlerden bir kaç tanesinin kodları ile birlikte temel özellikleri belirtilecektir. Piyasada bulunan
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Türkçe karşılığı “Bütünleyici Metal Oksit Yarı İletken” CMOS bir tümleşik devre üretim teknolojisidir. CMOS elemanı günümüzde
Radyo alıcılarında kullanılan giriş katı yükselteçteri ve seslendirme sistemlerindeki ön yükselteçler, “gerilim yükselteçleri” dir ve A sınıfı yükselteç olarak çalıştırılırlar.
Darlington bağlantılı yükselteç, Şekil 1 ‘de görüldüğü gibi ard arda bağlı iki transistörden oluşmaktadır. Transistörler yapı ve karakteristik bakımından tamamen birbirinin