Aktif Devre Elemanları

a) Sabit Polarma Şekil 1 (a) ve (b) ‘deki gibi kullanılan JFET devrelerine sabit (fixed) polarmalı devreler adı verilir. Çünkü, gate ve source uçları arasına VGG gibi sabit bir güç kaynağı kullanışmıştır. n-kanallı JFET ‘in gate terminaline, VGG ‘nin (-) kutbu; p-kanallı JFET ‘in gate terminaline ise (+) kutbu  irtibatlandırılmalıdır. Dikkat edilmesi gereken başka bir

JFET ‘e uygulanan voltajların değiştirilmesiyle, JFET ‘in gösterdiği davranışa Parametre denir. Başka bir değişle JFET karakteristiği veya sabitleridir. Üretici firmalar, elemanı tanımlamak ve farklı elemanlar arasında seçim yapabilmek için gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler. JFET parametreleri şunlardır: a) Drain – Source doyma akımı (IDSS): Gate – Source eklemi kısa devre yapıldığında Drain – Source arasından

JFET elemanının transfer karakteristiği, sabit bir drain – source gerilimi VDS için gate -source VGS geriliminin bir fonksiyonu olarak ID drain akımının grafiğidir. Şekil 1 ‘de görüldüğü gibi transfer eğride iki önemli noktada IDSSve VP değerleridir. Herhangi bir noktadaki ID akımı şöyle hesaplanabilir: ID = IDSS [1- ( VGS / VP )2 Transfer karakteristik eğrisinden

Drain – Source Karakteristiği: Bu karakeristik eğri drain akımının (ID), drain – source gerilimine (VDS) göre bir grafiği olduğundan, drain karakteristiği adınıda almaktadır.   VGS=0 Volt için çizilen eğride, VDS arttıkça drain akımının doyum düzeyine kadar arttığı görülmektedir. VGS=0 için bu doyum akımı IDSS olarak adlandırılır. Başka bir ifadeyle IDSS akımı, gate – source eklemi

BJT ‘lerde olduğu gibi JFET ‘lerde de 3 terminal vardır. Bunlar; Drain (Oluk, Akaç), Source (Kaynak) ve Gate (Kapı, Geçit) dir. Transistörlerde, kollektörün karşılığı drain, emiterin karşılığı source, beyzin karşılığı gate ‘dir. Transistörler nasıl NPN ve PNP tipi olmak üzere iki tipte ise JFET ‘ler de; * n – kanallı JFET * p – kanallı

NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör – BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT ‘ler, hem elektron akımı hem de delik (boşluk) akımının kullanıldığı akım kontrollü elemanlardır. FET (Field Effect Transistör – Alan Etkili Transistör) ise yüksek giriş empedansına sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemandır. Elektrik alanı prensiplerine