IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) Nedir? Devre elemanı sürerken mosfet gibi, iş yaparken bipolar transistör gibi davranır. Insulated Gate Bipolar Transistor ( İzole edilmiş kapılı, iki kutuplu transistor – IGBT) temel olarak 3 bacaklı bir yarı iletken cihazdır. 4 katmandan (P-N-P-N) oluşur ve metal oksit yarı iletken (MOS) ile kontrol edilir. Yalıtılmış transistor de […]
Metal Oksit Silikon FET, MOSFET olarak bilinir. MOSFET, pn eklemine sahip bir yapısı bulunmadığından JFET’ten farklıdır. Onun yerine, MOSFET kanaldan ince bir Silisyumdioksit (SiO2) tabakasıyla yalıtılır. Silisyumdioksit tabakası Alan Etkili Transistörün giriş direncini oldukça yüksek (1010W yada daha yüksek) değerlere çıkarmaktadır. Bu yüksek giriş direnci gate-drain geriliminin her yönünde ve her değerinde korunur. Çünkü giriş
İlk olarak gate-source voltajı sıfır (VGS=0 V) olarak alınır. Bu voltaj değeri gate ucunu source ucuna bağlayarak elde edilir. Şekil 1.(a) da olduğu gibi her iki uçta toprağa bağlanır. VDD (yani VDS) 0 volttan itibaren artarken ID akımı da belli oranda artacaktır, Şekil 1.(b) deki grafiğin A ve B noktaları arasında gösterildiği gibi. Bu bölgede
JFET’in çalışmasını Şekil 1 deki n-kanal JFET üzerinde açıklayalım. VDD gerilimi drain-source voltajını sağlar ve drain’den source’a akan akımı oluşturur. VGG gerilimi de gate-source arasındaki ters kutuplama voltajını sağlar. JFET her zaman gate-source pn ekleminin ters kutuplanmasıyla çalıştırılır. Gate-source ekleminin negatif bir gerilimle ters kutuplanması n-kanalda fakirleşmiş bir bölge oluşturur ve direncini arttırır. Kanal genişliği, gate
JFET, kanaldaki akımı kontrol etmek için ters kutuplanmış bir ekleme sahip olan bir Alan Etkili Transistör çeşididir. JFET sembolleri Şekil 1 de gösterilmiştir. JFET yapısına göre, n-kanal ve p-kanal olmak üzere ikiye ayrılır. Şekil 2.(a) ve (b) de bu her iki tip JFET görülmektedir. Şekil 2.(a) daki n-kanal JFET’te n tipi kanalın her iki ucuna
Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor), bipolar transistör (BJT) fonksiyonlarının çoğunu gerçekleştirebilen fakat çalışması temelde farklı olan üç terminalli yarı iletken bir devre elemanıdır. Alan etkilitransistör, üzerinden geçen akımın iki çeşit yük taşıyıcısından (oyuklar yada elektronlar) sadece birine dayandığı için tek kutuplu (unipolar) bir eleman olarak bilinir. Üzerinden geçen akım dışarıdan uygulanan bir
Bir transistördeki kollektör akımı IC=IB x ß idi. O zaman elimizde yeterli bilgi olduğu zaman transistörlü bir devrenin her türlü DC değerlerini hesaplayabiliriz şeklinde düşünebiliriz. Nedir yeterli bilgiler? Devredeki direnç değerleri, üzerlerine renk kodlarına bakarak okuyabiliriz. Voltaj değeri, bir AVO metre ile kolayca ölçebiliriz. Transistörün ß değeri onu da katalogdan bakarız…. Şimdi biraz düşünelim. Üreticiler
transistörün temel denklemi; IE=IC + IB Burada beyz akımı olan IB, IC ve IE akımlarına göre çok küçük olmaktadır. Bunun sebebi de beyz bölgesinin çok ince olmasından kaynaklanmaktadır. Bir transistör; üç bacağı olduğu için üç ayrı tür ve özellikte bağlantıya sahiptir. Bu bağlantılar; 1- Ortak Beyzli devre (Common Base). 2- Ortak Emitörlü devre (Common Emmitter).