DOĞRULUK, DUYARLILIK, HATALAR
ÖlçmeBir ölçme işleminin “doğruluğu” o ölçme sonucundaki bağıl hata sınırı küçüldükçe artar. Do = Burada Do ; ölçmenin doğruluğunu ifade […]
Bir ölçme işleminin “doğruluğu” o ölçme sonucundaki bağıl hata sınırı küçüldükçe artar. Do = Burada Do ; ölçmenin doğruluğunu ifade […]
Birbirleri ile karşılaştırılıp, karşılaştırma sonucu sayısal olarak değerlendirilebilen nesnelere “fiziksel büyüklük (kısaca büyüklük)” diyoruz. Söz konusu edilen karşılaştırma eylemine de
Metal Oksit Silikon FET, MOSFET olarak bilinir. MOSFET, pn eklemine sahip bir yapısı bulunmadığından JFET’ten farklıdır. Onun yerine, MOSFET kanaldan
İlk olarak gate-source voltajı sıfır (VGS=0 V) olarak alınır. Bu voltaj değeri gate ucunu source ucuna bağlayarak elde edilir. Şekil
JFET’in çalışmasını Şekil 1 deki n-kanal JFET üzerinde açıklayalım. VDD gerilimi drain-source voltajını sağlar ve drain’den source’a akan akımı oluşturur. VGG
JFET, kanaldaki akımı kontrol etmek için ters kutuplanmış bir ekleme sahip olan bir Alan Etkili Transistör çeşididir. JFET sembolleri Şekil
Alan etkili transistör (FET – Field Effect Transistor), bipolar transistör (BJT) fonksiyonlarının çoğunu gerçekleştirebilen fakat çalışması temelde farklı olan üç
Kondansatör, elektrik yükünü depolayabilme özelliğine sahip olan bir elemandır. Kondansatörün yük depolayabilme özelliği kapasitans olarak adlandırılır. Basit olarak bir kondansatör